掌机的屏幕，是掌机发展的一个重点，在历史上，掌机之所以能够发展起来，也和屏幕有很大的关系。**
而在屏幕开始变成了彩sè的、动感的之后，这时候，技术才开始对掌机产生了限制。
如果让凯瑟琳现在制作一台可以玩《超级马里奥》的掌机，这完全没有任何问题，但现在可没有这样的游戏屏幕，而且恐怕电池的续航能力也不够。
不仅仅是掌机，这个问题也同样存在于哔哔面。
凯瑟琳的哔哔xiǎo子，是准备为了美国大兵单兵装备啊，这两个因素，也是限制哔哔xiǎo子的一个重要关键。
哔哔xiǎo子的个人版本，应该就是一个简化版本的pda了，只不过，现在续航问题、显示问题，严重困扰着哔哔xiǎo子的发展，所以就目前而言，哔哔xiǎo子只有车，而且三款里面，有两款都是用在坦克车这与凯瑟琳的发展战略，根本就不和嘛！
屏幕的问题，要解决的话，凯瑟琳最后还是将目光放在了fed上面。
fed很早就出现了，所谓的场发shè电极理论最早是在1928年由r.共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发shè电极元件，开启运用场发shè电子做为显示器技术，则是在1968年由dt提出，随后吸引后续的研究者投入研发。
不过在这个时代，fed已经成为了凯瑟琳的研究项目，而且这个概念也已经早就提出了，目前，公司正在与斯坦福大学联合研究fed。
严格意义上而言，sed也是属于fed的一种。
而这两种显示器，都是crt显示器的延伸。
crt这种电视机一直流行到21世纪，才逐渐的被液晶电视所代替，但是液晶电视很难真实的还原sè彩，所以很多人对于液晶电视很是不满——至少凯瑟琳就是其中之一。
所以，凯瑟琳现在就已经开始研究fed和sed的显示器了。
如果没有意外的话，场发shè电极的应用是到1991年法国leti-cheng公司在第四届国际真空微电子会议上展出一款运用场发shè电极技术制成的显示器成品之後，场发shè电极技术才真正被注意，并吸引镁光、理光、摩托罗拉、三星、飞利浦等公司投入，也使得fed加入众多平面显示器技术的行列。
在场发shè显示器的应用，发shè与接收电极中间为一段真空带，因此必须在发shè与接收电极中导入高电压以产生电场，使电场刺ji电子撞击接收电极下的萤光粉，而产生发光效应。此种发光原理与yin极shè线管（crt）类似，都是在真空中让电子撞击荧光粉发光，其中不同之处在crt由单一的电子枪发shè电子束，透过偏向轨来控制电子束发shè扫瞄的方向，而fed显示器拥有数十万个主动冷发shè子，因此在构造上fed可以达到比crt节省空间的效果。其次在於电压部分，crt大约需要1530kv左右的工作电压，而fed的yin极电压约xiǎo於1kv。
在凯瑟琳来到这里之前，这种显示已经达到只需要12v的电压就可以了。
就目前而言，限制fed发展的因素，主要有两个，一个就是fed的材料，另一个，就是控制芯片。
crt是一个偏转电场以及一个yin极shè线管，但是在fed上面，却是数十万个发shè场，这对于芯片而言，需要很高的要求——至少，现在的sfc很难控制得来。而另一个场发shè器元件的问题也很重要，凯瑟琳现在使用的是微尺寸阵列。
虽然理论上能够实现发shè显示的技术，但它的阵列特xing却限制显示的尺寸，主要原因是它的结构是在每个阵列单元上包含一个圆孔，圆孔内含一个金属锥，在制作过程中微影与蒸镀技术均会限制尺寸的大
而在屏幕开始变成了彩sè的、动感的之后，这时候，技术才开始对掌机产生了限制。
如果让凯瑟琳现在制作一台可以玩《超级马里奥》的掌机，这完全没有任何问题，但现在可没有这样的游戏屏幕，而且恐怕电池的续航能力也不够。
不仅仅是掌机，这个问题也同样存在于哔哔面。
凯瑟琳的哔哔xiǎo子，是准备为了美国大兵单兵装备啊，这两个因素，也是限制哔哔xiǎo子的一个重要关键。
哔哔xiǎo子的个人版本，应该就是一个简化版本的pda了，只不过，现在续航问题、显示问题，严重困扰着哔哔xiǎo子的发展，所以就目前而言，哔哔xiǎo子只有车，而且三款里面，有两款都是用在坦克车这与凯瑟琳的发展战略，根本就不和嘛！
屏幕的问题，要解决的话，凯瑟琳最后还是将目光放在了fed上面。
fed很早就出现了，所谓的场发shè电极理论最早是在1928年由r.共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发shè电极元件，开启运用场发shè电子做为显示器技术，则是在1968年由dt提出，随后吸引后续的研究者投入研发。
不过在这个时代，fed已经成为了凯瑟琳的研究项目，而且这个概念也已经早就提出了，目前，公司正在与斯坦福大学联合研究fed。
严格意义上而言，sed也是属于fed的一种。
而这两种显示器，都是crt显示器的延伸。
crt这种电视机一直流行到21世纪，才逐渐的被液晶电视所代替，但是液晶电视很难真实的还原sè彩，所以很多人对于液晶电视很是不满——至少凯瑟琳就是其中之一。
所以，凯瑟琳现在就已经开始研究fed和sed的显示器了。
如果没有意外的话，场发shè电极的应用是到1991年法国leti-cheng公司在第四届国际真空微电子会议上展出一款运用场发shè电极技术制成的显示器成品之後，场发shè电极技术才真正被注意，并吸引镁光、理光、摩托罗拉、三星、飞利浦等公司投入，也使得fed加入众多平面显示器技术的行列。
在场发shè显示器的应用，发shè与接收电极中间为一段真空带，因此必须在发shè与接收电极中导入高电压以产生电场，使电场刺ji电子撞击接收电极下的萤光粉，而产生发光效应。此种发光原理与yin极shè线管（crt）类似，都是在真空中让电子撞击荧光粉发光，其中不同之处在crt由单一的电子枪发shè电子束，透过偏向轨来控制电子束发shè扫瞄的方向，而fed显示器拥有数十万个主动冷发shè子，因此在构造上fed可以达到比crt节省空间的效果。其次在於电压部分，crt大约需要1530kv左右的工作电压，而fed的yin极电压约xiǎo於1kv。
在凯瑟琳来到这里之前，这种显示已经达到只需要12v的电压就可以了。
就目前而言，限制fed发展的因素，主要有两个，一个就是fed的材料，另一个，就是控制芯片。
crt是一个偏转电场以及一个yin极shè线管，但是在fed上面，却是数十万个发shè场，这对于芯片而言，需要很高的要求——至少，现在的sfc很难控制得来。而另一个场发shè器元件的问题也很重要，凯瑟琳现在使用的是微尺寸阵列。
虽然理论上能够实现发shè显示的技术，但它的阵列特xing却限制显示的尺寸，主要原因是它的结构是在每个阵列单元上包含一个圆孔，圆孔内含一个金属锥，在制作过程中微影与蒸镀技术均会限制尺寸的大